化学翻译官帮忙看下

来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/05/24 02:30:53
Atomic layer deposition (ALD) or chemical vapor deposition
(CVD)is technologically more attractive than MBE.
The recent development of high-quality ALD- and CVDgrown
high-permittivity (high- k) gate dielectrics on Si justi-fies some optimism regarding integration on III–V
substrates.7 Gate stacks for depletion mode MOSFETs with
Dit,1012 cm−2 eV−1 were recently fabricated by ALD of
Al2O3 onto native oxide covered GaAs.8–10 A 600–650 °C
anneal in O2 minimized current–voltage hysteresis and frequency
dispersion, and maximized gate stack capacitance.
Transmission electron microscopy (TEM) pointed to a remarkably
sharp Al2O3 /GaAs interface, prompting the speculation
that the native oxide is removed during the ALD process.
ALD-grown Al2O3 also results in good gate stack
properties on InGaAs11 and AlGaN/GaN12 and may be used
to coat compound semiconductor nanowires conformally.13
By contrast, very few stud

原子层数证言(ALD)或化学气相沉积
(CVD)比MBE技术上有吸引力。
优质ALD-和CVDgrown高电容率(高k
)门电介质的新发展在Si在III-V substrates.7门堆辩解一些
乐观关于综合化为耗尽模MOSFETs与
Dit， 1012 cm−2 eV−1由氧化铝ALD在
O2最近制造当地氧化物报道的GaAs.8-10 A
600-650 °C锻炼使current-voltage滞后作用减到最小和频率
分散作用和最大化的门堆电容。
传输电子显微镜术(TEM)指向一个卓越地
锋利的氧化铝/GaAs接口，提示猜想
在ALD过程期间，当地氧化物被去除。
ALD增长的氧化铝在InGaAs11和AlGaN/GaN12导致
好门堆物产，并且也许使用
涂上Ⅰ - Ⅴ族化合物半导体nanowires conformally.13
相反，非常少量研究关于
最重要的高k门电介质， HfO2被出版了，在III-V
semiconductors.14， 15
在这封信件，我们描绘氧化铝/GaAs和HfO2
/GaAs的结构和构成，帮助开发对
材料的冲击的理解和加工条件
对ALD增长的高k/III-V堆的质量。我们
演讲堆形成连续阶段： 开始表面，
温度舷梯， ALD过程，和锻炼。
氧化铝和HfO2在氧化物被盖的sepireadyd增长
并且HF铭刻了GaAs (100)。 为高kdielectric成长，我们
仿效最近产生优质氧化铝/GaAs
门stacks.8-10证言使用共同的
ALD前体Al执行的做法(CH3
) 3+H2O或HfCl4+H2O交替的曝光在N2运载气体在
300 °C，使用一台商业ASM Pulsar3000tm ALD反应器。
C或Al起盖帽作用对于显微学。 影片是被描绘的
前situ由scanning TEM (词根)，电子