UC知道求一段论文的汉译英翻译，谢啦（3）
来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/06/16 08:53:17
在上述理论的直接和间接影响，以及1960年产生的红宝石激光器的推动下，美国和苏联的科学家加紧了对半导体激光器的研究。特别是1962年元月，梅贝格(s．Mayburg)报告了可以从GaAsPN结中得到100％的荧光量子效率，致使在1962年后期美国的四个实验室几乎同时宣布研制成功GaAs同质结半导体激光器，
1963年巴索夫也报导研制成GaAs PN结半导体激光器。以上提及的“第一代”半导体激光器的研究工作者作出了重要的贡献。因为在他们之前为数极少的有关在半导体材料中产生受激发射的公开论述，并未使他们得到足够的启示。在围绕着使用什么样的半导体材料来得到高效率的受激光发射，如何形成光学谐振腔，如何检验是否产生激光输出和如何评价半导体激光器的输出特性等问题上，他们作了有成效的探索和实践。例如，选用直接带隙半导体GaAs作有源材料；用晶体的自然解理面作光学谐振腔；从输出光束光谱线宽的变窄和远场特性的变化来判断激光的产生等。尽管上述“第一代”半导体激光器均为同质结构，只能在液氮温度下脉冲工作，因而毫无实用价值，但他们的一些基本理论与实践至今仍是有意义的。
三、
实现半导体激光器在室温下连续工作(1962—1970年)上述同质结构的半导体激光器经历了5年时间的徘徊，人门对半导体激光器的前途曾一度产生怀疑，甚至一些早期半导体激光器的开创考也因当时的半导体激光器一直不能在室温下工作而中途退却。但当时的贝尔实验室固体研究室主任高尔持(Golt)科学地预见到，室温连续工作的半导体激光器将在未来的光通信上发挥重要作用。1967年在半导体激光发展史上一个重要的突破是一反过去用扩散法形成同质PN结的惯例，而用液相外延的方法制成了单异质缩激光器，从而实现了在空温下脉冲工作的半导体激光器。时隔3年(1970年)，贝尔实验室的研究工作者又一举实现了双异质结构的半导体激光器，使半导体激光器出现了划时代的进展—在室温下连续工作。这也许是使贝尔实验空至今在光纤通信上处于领先地位的基点之一。在这一期间，半导体激光器的研究工作主要集中在以下几个方面：
(1)围绕着实现GaAs注入半导体激光器在室温下连续工作，对其结构进行了深入的研究，异质结构是一大突破。为改善半导体激光器的工作特性，在对注入有源区的裁流子和其内由辐射复合所产生
2, 1962 a semiconductor laser
In the theory of direct and indirect effects, and in 1960 the ruby laser, driven by the United States and the Soviet Union scientists to intensify the semiconductor laser research. In particular, in January 1962, Mei Beige (s.Mayburg) reported on the statement from the GaAsPN be 100% of the fluorescence quantum efficiency, resulting in the latter part of the United States in 1962, the four laboratories almost simultaneously announced the successful development of the same junction GaAs Semiconductor Laser,
1963 Basuo Fu also reported the development of GaAs PN junction semiconductor lasers. The above-mentioned "first generation" of the semiconductor laser research workers have made important contributions. Because very few of them before in semiconductor materials produced by stimulated emission of public exposition, so that they do not get enough inspiration. In surrounding the use of what kind of semiconductor materials to get th